科创芯片设计ETF(588780)冲击三连涨
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2025-03-06 12:11:15
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中证网讯 截至3月6日11:00,科创芯片设计ETF(588780)上涨1.57%,冲击3连阳;该ETF所跟踪指数的50家科创芯片龙头中,超30只实时上涨,RISC-V相关企业权重占比超25%;寒武纪-U、海光信息等多只重仓股涨幅超5%。

受国产RISC-V技术生态利好刺激,A股芯片板块资金净流入持续加码。科创芯片设计ETF(588780)3月5单日成交额突破1亿元,创上市以来新高;近一周净流入1.16亿元,年内累计涨幅达20.99%,居全市场芯片类ETF涨幅前列。

科创芯片ETF(588780)具备科创板的20%涨幅弹性优势,其成份股芯原股份,已推出多款RISC-V IP核并深度绑定头部客户,近两日股价累计大涨33.46%,成为拉动ETF净值的核心力量。

政策与市场双重驱动下,RISC-V赛道迎来爆发期。SHD Group预测2030年全球RISC-V芯片市场规模将达927亿美元,年复合增长率47.4%。科创芯片设计ETF(588780)聚焦RISC-V生态,持仓中相关企业权重占四分之一以上,有望持续受益于渗透率提升与AI需求爆发。投资者可借力该ETF一键布局。(魏昭宇)

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