@科技日报消息,日本冲绳科学技术大学院大学设计了一种新型极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。这项技术能让光刻设备使用较小的EUV光源,降低了成本,同时提升了机器的可靠性并延长了其使用寿命,有助于推动半导体行业的可持续发展。
原标题:新型极紫外光刻技术面世 超越半导体制造业标准界限
编辑:陈璐 责编:周尚斗 审核:冯飞
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